Showing 25 of 552 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS3006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3006 |
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IRFS3307TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3307TRRPBF |
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IRFS3006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3006PBF |
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RCP0603B130RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 130ohm, 13.9642V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603B130RFS3 |
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AUIRFS3107-7PTRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | AUIRFS3107-7PTRL |
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RFS390B-AQH-DNN
RAYSTAR
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1 | Display: TFT; 3.9"; 480x128; Illumin: LED; Dim: 105.5x37x3.05mm; RGB | RFS390B-AQH-DNN |
1
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IRFS3107TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3107TRRPBF |
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3820-C05-A-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C05-A-RR-FS3BAR-CR |
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AUIRFS3806TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS3806TRL |
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DRFS-3250-40JC
Digital RF Solutions Corp
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1 | Numeric Controlled Oscillator, 8-Bit, CMOS, PQCC84 | DRFS-3250-40JC |
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IRFS3004TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.00175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3004TRR |
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IRFS342
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS342 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C08-A-UC-RR-FS3BAR-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C08-A-UC-RR-FS3BAR-WM |
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IRFS3306TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3306TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS351
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS351 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP2512W365RFS3
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3.5W, 365ohm, 35.7421V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | RCP2512W365RFS3 |
0
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LA16B/HRF-S30-PF
Ligitek Electronics
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1 | Visible LED | LA16B/HRF-S30-PF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3507TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS3507TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V07-A-UC-RR-FS3BAR-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 2500Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V07-A-UC-RR-FS3BAR-OR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS350A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS350A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-UC-RR-FS3BAR-CR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS3004TRL7PP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS3004TRL7PP |
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DRFS-3250-30KM
Digital RF Solutions Corp
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1 | Numeric Controlled Oscillator, 8-Bit, CMOS, CQCC84 | DRFS-3250-30KM |
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CIR020RFS-36-7S-F80
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 47 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR020RFS-36-7S-F80 |
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DRFS3272PI
Digital RF Solutions Corp
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1 | Memory IC | DRFS3272PI |
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