Showing 25 of 158 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3458DV-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3458DV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3452B-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | CMOS | SI3452B-B01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456DDV-T1-BE3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193AA | SI3456DDV-T1-BE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3457DV
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI3457DV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3455DV
Rochester Electronics LLC
|
1 | 3600mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | SI3455DV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3453-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3453-B02-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3452-B01-IMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Micro Peripheral IC | SI3452-B01-IMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456BDV-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193C | SI3456BDV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456DV
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | SI3456DV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3452C-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Micro Peripheral IC | SI3452C-B02-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3453-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Telecom Circuit, 4-Func | SI3453-B01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3454ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3454ADV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3457DVL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DVL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456DVD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3456DVD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3458DV-T1-E3
Vishay Siliconix
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3458DV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456CDV-T1-E3
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 30V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI3456CDV-T1-E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456DV-T2
Temic Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3456DV-T2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3453C-B02-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3453C-B02-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3454DV
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3454DV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3457DVD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.004A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3457DVD87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3455DV-T3
Temic Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3455DV-T3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3454ADV-T1
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3454ADV-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3456DV
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI3456DV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3452C-B01-GMR
Silicon Laboratories Inc
|
1 | CMOS | SI3452C-B01-GMR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SI3453-B02-GM
Silicon Laboratories Inc
|
1 | Telecom Circuit, 1-Func | SI3453-B02-GM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||