Showing 25 of 297 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MT8VDDT6464AG-265G6
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, PDMA184 | MT8VDDT6464AG-265G6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT16LSDT6464AY-13EXX
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA168 | MT16LSDT6464AY-13EXX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M378T6464QZ3-CF7
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS | M378T6464QZ3-CF7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT16VDDT6464AG-40B
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184 | MT16VDDT6464AG-40B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT-646.4OHMS0.01%
Riedon
|
1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 46.4ohm, 504V, 0.01% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-646.4OHMS0.01% |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M470T6464QH3-CE6
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS | M470T6464QH3-CE6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT5LST6464G7
Micron Technology Inc
|
1 | SRAM | MT5LST6464G7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464AG-202
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, PDMA184 | MT8VDDT6464AG-202 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M470T6464AZ3-LE6
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS | M470T6464AZ3-LE6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464AG-40BF4
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184 | MT8VDDT6464AG-40BF4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464AY-335
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184 | MT8VDDT6464AY-335 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464AY-202XX
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.8ns, CMOS, DMA184 | MT8VDDT6464AY-202XX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
UT-6464OHMS1%
Riedon
|
1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 5W, 464ohm, 504V, 1% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | UT-6464OHMS1% |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT3LST6464PG-66
Micron Technology Inc
|
1 | Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 7ns, CMOS | MT3LST6464PG-66 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M378T6464AZ3-CE6
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.45ns, CMOS, DMA240 | M378T6464AZ3-CE6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
HPT6464-50-B
Susumu Co Ltd
|
1 | RF/Microwave Termination | HPT6464-50-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT16LSDT6464AG-133
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA168 | MT16LSDT6464AG-133 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NT646401%LF
TT Electronics Resistors
|
1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 7.5W, 464ohm, 698.2V, 1% +/-Tol, -20,20ppm/Cel | NT646401%LF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT16VDDT6464AY-40BG6
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184 | MT16VDDT6464AY-40BG6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464HG-26A
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, PDMA200 | MT8VDDT6464HG-26A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M470T6464EHS-CE6
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 32MX16, 0.45ns, CMOS | M470T6464EHS-CE6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
M378T6464AZ3-CE6000
Samsung Semiconductor
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.4ns, CMOS | M378T6464AZ3-CE6000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT16VDDT6464AY-335G6
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184 | MT16VDDT6464AY-335G6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NT64642DLF
TT Electronics Resistors
|
1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 6W, 46400ohm, 698.2V, 0.5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount | NT64642DLF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8VDDT6464AG-262
Micron Technology Inc
|
1 | DDR DRAM Module, 64MX64, 0.75ns, CMOS, PDMA184 | MT8VDDT6464AG-262 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||