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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8047-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8047-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8037-H(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8037-H(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8126
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8126 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8132(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8132(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816MDC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816MDC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8115
Vertiv Inc
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1 | Transistor | TPC8115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A02-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8A02-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8061-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8061-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8107(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8107(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8221-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8221-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8201(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8201(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8124(TE12L,V)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8124(TE12L,V) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8105-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),SO | TPC8105-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817BC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817BC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8229-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8229-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8086(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8086(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8112
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8086(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8086(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8062-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8062-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8018-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8018-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8120(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8120(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8405(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8405(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8113
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8214-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8214-H |
0
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