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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8065-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8065-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8022-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8022-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8135
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.162ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8123,L1Q(O
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0149ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8123,L1Q(O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8052-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0131ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8052-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8104(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8104(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8128,L1Q(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8128,L1Q(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8024
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8059-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8059-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8053-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8053-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8010-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8010-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8122.L1Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8122.L1Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A05-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0172ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A05-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A08-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A08-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8049-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8049-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8047-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8047-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8125
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0344ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8125 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8107-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 40V, 0.037ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8107-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A02-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A02-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8039-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8039-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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