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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8603
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8603 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8J01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 32V, 0.049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8J01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8110
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.0532ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8305,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.042ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8305,LF(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8405(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8405(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8303,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8303,LF(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8205-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8205-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8G01(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 2-Element, PNP, Silicon | TPCP8G01(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8303(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8303(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8507(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8507(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8305(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.042ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8305(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8606
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | PNP Bipolar Transistor / VCEO=-80 V / IC=-4 A / hFE=100~200 / VCE(sat)=-0.22 V / tf=35 ns / PS-8 | TPCP8606 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8602(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8602(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8512,LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8512,LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8306(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8306(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8010
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.0384ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8207
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 40V, 0.0628ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8207 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8902(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8902(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8105(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8105(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8105(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8105(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8601(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, PNP | TPCP8601(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8103-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8103-H(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8001-H(TE85LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPCP8001-H(TE85LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8005-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8005-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8604(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8604(TE85L) |
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