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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6787LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6787LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6782-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Semiconductor Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784LCC4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6784LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784TX
Intersil Corporation
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1 | 2.25A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6784TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6787
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | 2N6787 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782TXV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782TXV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6783LCC4-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 150V, 1.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC40SM | 2N6783LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | 2N6789 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784TXV
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6784TXV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788LCC4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 100V, 0.345ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6788LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782EAPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782EAPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6789R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6782ECPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6784R1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6789LCC4-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6789LCC4-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788TXV
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6788TXV |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782
General Electric Solid State
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1 | Transistor | 2N6782 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6782-QR-B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6788.MODR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6788.MODR1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782LCC4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3.5A, 100V, 0.69ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | 2N6782LCC4 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6784U
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 2.81ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, LCC-18 | 2N6784U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6782
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6782 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6786
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6786 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||