Showing 25 of 497 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N6798-QR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 5.5A, 200V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6798-QR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796R1
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6796R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6798R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 5.5A, 200V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6798R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796-JQR
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6796-JQR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796-JQR-B
TT Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6796-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6797R1
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39, | 2N6797R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6797R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 5.5A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6797R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6791LCC4E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 1.8ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6791LCC4E4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6792TX
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6792TX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6798TX
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6798TX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6798EB
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, | 2N6798EB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,8A I(D),TO-39 | 2N6796 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6798EB
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6798EB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6794TX
Intersil Corporation
|
1 | 1.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6794TX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6793LCC4E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4.5ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | 2N6793LCC4E4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6796R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6794
Intersil Corporation
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,1.5A I(D),TO-39 | 2N6794 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796SCC5205/019PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6796SCC5205/019PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796LCC4-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 7.4A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | 2N6796LCC4-QR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6790R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 3.5A, 200V, 0.92ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | 2N6790R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6790E
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6798.MOD
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN | 2N6798.MOD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6796-QR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, TO-39, 3 PIN | 2N6796-QR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6793-SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 1.5A, 450V, 4.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, TO-220SM, 3 PIN | 2N6793-SM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2N6790
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,3.5A I(D),TO-39 | 2N6790 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||