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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK358
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 5 A, 250 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | 2SK358 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3573-ZK
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3573-ZK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3571-ZK
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3571-ZK |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3569(Q)
Toshiba
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1 | MOSFETs N-Ch 600V 10A Rdson 0.75 Ohm | 2SK3569(Q) |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3573-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK3573 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | 2SK3573-AZ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3563(Q)
Toshiba
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1 | MOSFETs N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm | 2SK3563(Q) |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3595-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 2SK3595-01MR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3570-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN | 2SK3570-Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3574-S
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262, FIN CUT, MP-25, 3 PIN | 2SK3574-S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK359-F
Renesas Electronics Corporation
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1 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 | 2SK359-F |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3571-S
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262, FIN CUT, MP-25, 3 PIN | 2SK3571-S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3541M
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 2SK3541M |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3575
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK3575 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3573-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN | 2SK3573-Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK359DRF
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN | 2SK359DRF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3574-ZK-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN | 2SK3574-ZK-AZ |
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2SK3538
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-9F1C, 4 PIN, FET General Purpose Power | 2SK3538 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3510-ZJ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN | 2SK3510-ZJ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3510-S
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN | 2SK3510-S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK359RF
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, TO-92 | 2SK359RF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3541
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3541 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3504-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | 2SK3504-01 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK351
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,5A I(D),TO-3 | 2SK351 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3577
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN | 2SK3577 |
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2SK359FRR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN | 2SK359FRR |
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