Showing 25 of 1627 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3541T2R
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3541T2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3582TV-A
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00034A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3582TV-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3571-ZK-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | 2SK3571-ZK-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3573-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3573-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3510-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3510-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3572-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3576-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3576-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3595-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3595-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3510-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 75V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3510-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3503-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3503-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3574-ZK-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | 2SK3574-ZK-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3596-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3596-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3505-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3505-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3565
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3565 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3541M
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3541M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3525-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3525-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359FRR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK359FRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3511-S19-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SK3511-S19-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3574-S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3574-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3577-T1B
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3577-T1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK359DRF
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK359DRF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3572-ZK
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3572-ZK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3571-ZK-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3571-ZK-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3574-ZK-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3574-ZK-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3557-7-TD-E
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3557-7-TD-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||