Showing 25 of 1318 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CS-427-DFC-APT4K
Microchip Technology Inc
|
1 | PLL Frequency Synthesizer | CS-427-DFC-APT4K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40N60B2CF
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40N60B2CF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40M75JN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 400V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M75JN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT47N60SCF
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 600V, 0.083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT47N60SCF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT45G100BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1KV V(BR)CES,45A I(C),TO-247AD | APT45G100BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
0805C561KAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00056uF, Surface Mount, 0805 | 0805C561KAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A5R6JAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000056uF, Surface Mount, 1206 | 1206A5R6JAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206AR82DAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 60.9756% +Tol, 60.9756% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00000082uF, Surface Mount, 1206 | 1206AR82DAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT45GL100BN
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT45GL100BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT43GA90S
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT43GA90S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A390ZAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000039uF, Surface Mount, 1206 | 1206A390ZAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GF120JRD
Microchip
|
1 | IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227 | APT40GF120JRD |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4585BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4585BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
0805C102GAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, X7R, 15% TC, 0.001uF, Surface Mount, 0805 | 0805C102GAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4020DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT4020DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4018BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 29A, 400V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4018BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT41F100J
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1000V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT41F100J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A391ZAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00039uF, Surface Mount, 1206 | 1206A391ZAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SAB8032A-P-T40/85
Infineon Technologies AG
|
1 | Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PDIP40 | SAB8032A-P-T40/85 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4550BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4550BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4016BNR-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4016BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4016BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 31A, 400V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4016BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
B43APT-49CP-7
TE Connectivity
|
1 | Circular Connector, 31 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | B43APT-49CP-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
B43APT-49CP-8
TE Connectivity
|
1 | Circular Connector, 31 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | B43APT-49CP-8 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT44GA60BD30C
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT44GA60BD30C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||