Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT120JR
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 123A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT100GT120JR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT60LRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 148A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT100GT60LRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003RKLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT1003RKLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC120S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM) | APT10SC120S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GN120J
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 153A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT100GN120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10GT60BR
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT10GT60BR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003RBFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | APT1003RBFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10043JVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10043JVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M19BVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT10M19BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1004RBNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT1004RBNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10090SLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10090SLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M11JVRU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 142A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M11JVRU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC60G
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 9A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA | APT10SC60G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M11LVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10M11LVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10030L2VR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10030L2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC60SA
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode | APT10SC60SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M25BVFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10M25BVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M30BNFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M30BNFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R6SLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R6SLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078BFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT10078BFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10030L2VRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10030L2VRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10SC60SA
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | APT10SC60SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RAN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT1002RAN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003RKLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT1003RKLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M11JVRU2
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 142A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M11JVRU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||