Showing 25 of 1318 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1206A101JAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0001uF, Surface Mount, 1206 | 1206A101JAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GP90B
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT40GP90B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4016BNR-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4016BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4016BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 31A, 400V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4016BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
77313-GAPT44LF
Amphenol FCi
|
1 | Board Connector, | 77313-GAPT44LF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DQ120BCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT40DQ120BCTG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
77313-1APT46LF
Amphenol FCi
|
1 | Board Connector, | 77313-1APT46LF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT-4063
Broadcom Limited
|
1 | Wide Band Medium Power Amplifier, 2000MHz Min, 4000MHz Max | APT-4063 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT44GA60BD30C
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT44GA60BD30C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A3R9KAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000039uF, Surface Mount, 1206 | 1206A3R9KAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4525BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 450V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT4525BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A4R7BAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2.1277% +Tol, 2.1277% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000047uF, Surface Mount, 1206 | 1206A4R7BAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
0805C221JAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00022uF, Surface Mount, 0805 | 0805C221JAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4540AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4540AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4585BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4585BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT41F100J
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1000V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT41F100J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4020BVFRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4020BVFRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4F120K
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1200V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT4F120K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4018BNR-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 29A, 400V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT4018BNR-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
0805C182MAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0018uF, Surface Mount, 0805 | 0805C182MAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A2R2BAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 4.5455% +Tol, 4.5455% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000022uF, Surface Mount, 1206 | 1206A2R2BAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SAB8051A-P-T40/85
Infineon Technologies AG
|
1 | Microcontroller, 8-Bit, MROM, 12MHz, NMOS, PDIP40 | SAB8051A-P-T40/85 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
0805C102GAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, X7R, 15% TC, 0.001uF, Surface Mount, 0805 | 0805C102GAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1206A1R5JAPT4
Mijo Technology
|
1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000015uF, Surface Mount, 1206 | 1206A1R5JAPT4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40M70B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M70B2VFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||