Showing 25 of 495 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT4040AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT4040AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GF120JRDQ2
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT40GF120JRDQ2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4030DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT4030DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4030BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 18.5A, 400V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT4030BNR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4065BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,11A I(D),TO-247AD | APT4065BNR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GF120JRD
Microchip
|
1 | IGBT Modules IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 40 A SOT-227 | APT40GF120JRD |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40N60LCFG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT40N60LCFG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4065BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4065BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4018BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 29 A, 400 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT4018BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40M70JVFR
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 400V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT40M70JVFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DQ100S
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon, D3PAK-3 | APT40DQ100S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4007FN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4007FN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4007DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,60A I(D),CHIP / DIE | APT4007DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40N60LCFE3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT40N60LCFE3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DC120HJ
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 40A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide | APT40DC120HJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4014SVFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 400V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4014SVFRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4025AN
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4025AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DQ100SG
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon | APT40DQ100SG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GR120S
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 88A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT40GR120S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4030CNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4030CNR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DQ120BG
Microchip Technology Inc
|
1 | FRED DQ 1200 V 40 A TO-247 | APT40DQ120BG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4012BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4012BVR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40DQ60S
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 600V V(RRM), Silicon | APT40DQ60S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT4012SVFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 400V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4012SVFRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT40GP90J
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP90J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||