Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5050CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5050CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020SN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5020SN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M80B2VR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 500V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M80B2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5017BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5012WVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA | APT5012WVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BNFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5020BNFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010FN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,50A I(D),SIP-TAB | APT5010FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010B2LL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5010B2LL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60B
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GT60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120B2R
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GT120B2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017BFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5017BFLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60SG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,93A I(C),TO-247AD | APT50GS60BRDQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF60LRD
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GF60LRD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60JD2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT50GP60JD2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5028SVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5028SVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5027BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5027BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5050BNR-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 14A, 500V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5050BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT501R1BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9A, 500V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT501R1BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5012JNU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 43A, 1000V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | APT5012JNU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M85B2VR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 500V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M85B2VR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024SLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024SLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5030HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 19A, 500V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT5030HN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 20A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN | APT5025AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||