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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6013LLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6013LLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6035SVFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6035SVFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120S
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, D3PAK-3 | APT60DQ120S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6021BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT6021BFLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GF60JRDQ3
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 149A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60GF60JRDQ3 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6040BVFRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT6040BVFRG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120LCTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN | APT60DQ120LCTG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6025BVR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, | APT6025BVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6017B2LL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TMAX-3 | APT6017B2LL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D120B
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, 2 PIN | APT60D120B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6017WVR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.5A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, TO-267, 3 PIN | APT6017WVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60S20B
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 75A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247, TO-247, 2 PIN | APT60S20B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6060BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT6060BN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60N60SCS
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 600V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT60N60SCS |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6028HLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN | APT6028HLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6021SLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6021SLLG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6029BLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT6029BLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6037HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 600V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | APT6037HVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6GN
Microsemi Corporation
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1 | 5A, 600V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 | APT601R6GN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6021SLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6021SLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DF120HJ
Microsemi Corporation
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 90A, 1200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60DF120HJ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60-101DN
Microsemi Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,17.5A I(D),CHIP / DIE | APT60-101DN |
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APT60D20SG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | APT60D20SG |
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APT6040CN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT6040CN |
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APT6030BNR-GULLWING
Microsemi Corporation
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1 | 23A, 600V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT6030BNR-GULLWING |
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