Showing 25 of 232 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT751R2DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,750V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT751R2DN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7575BN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 750V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT7575BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7575BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 13A, 750V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT7575BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT752R4AN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT752R4AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75DQ60SG
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75A, 600V V(RRM), Silicon | APT75DQ60SG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN60BDQ2G
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT75GN60BDQ2G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN60SG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT75GN60SG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN120B2
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT75GN120B2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT751R4CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,750V V(BR)DSS,6.5A I(D),TO-254ISO | APT751R4CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT752R8BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 750V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT752R8BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7590BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 12A, 750V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT7590BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7575HN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7575HN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7516DFN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7516DFN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT752R8CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,750V V(BR)DSS,4A I(D),TO-254ISO | APT752R8CN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GL60BN
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT75GL60BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN60SG
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT75GN60SG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7590BN-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 750V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT7590BN-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75DF170HJ
Microchip Technology Inc
|
1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 75A, 1700V V(RRM), Silicon | APT75DF170HJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN60S
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT75GN60S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75DL60B
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT75DL60B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75F50B2
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor | APT75F50B2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GN120JDQ3
Microchip Technology Inc
|
1 | IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227 | APT75GN120JDQ3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT7575BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 750V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT7575BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT75GP120JDQ3
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 128A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT75GP120JDQ3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT751R4AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT751R4AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||