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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10KHM3_A/I
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC | BYG10KHM3_A/I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10M
Temic Semiconductors
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC | BYG10M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10YHE3/TR
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | BYG10YHE3/TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10Y-M3/TR
Vishay Semiconductors
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1 | DIODE 1.5 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode | BYG10Y-M3/TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10G-E3/TR3
Vishay
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1 | BYG10G-E3/TR3 Vishay SMT Switching Diode, 400V 1.5A, 4μs, 2-Pin DO-214AC | BYG10G-E3/TR3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10Y
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10G
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10J
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10M
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10M-TR
Vishay Intertechnologies
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1 | Rectifier Diode, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), | BYG10M-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10D
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BYG10K
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | SMA (DO-214AC) surface mount rectifier diode with repetitive peak reverse voltage from 200 V to 1600 V, average forward current of 1.5 A, and surge current capability of 30 A. | BYG10K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PBYG10Y-T13
ProTek Devices
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | PBYG10Y-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBYG10JG
Gulfsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC | SBYG10JG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBYG10MG
Gulfsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC | SBYG10MG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBYG10DG
Gulfsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC | SBYG10DG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBYG10GG
Gulfsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC | SBYG10GG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBYG10KG
Gulfsemi
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC | SBYG10KG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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