Showing 25 of 611 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2016REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2016REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2037T
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2037T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2016RJ
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | Dual N-Channel 30-V MOSFET in SO-8 package with 0.022 ohm RDS(on) at VGS = 10 V, 15 nC gate charge, and 6 A continuous drain current, compliant to RoHS and halogen-free standards. | HAT2016RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2019REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.037ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2019REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2042T
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 28V, 0.044ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2042T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2044R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2044R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2028R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.16ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2028R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2040R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2040R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2096H
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2096H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2019R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2019R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2026R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2026R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2036R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2036R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2059R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 0.38ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2059R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2031T
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.098ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2031T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2036R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2036R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2085T-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 200V, 0.64ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2085T-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2070R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2070R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2085R
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.002A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2085R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2068R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2068R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2033RJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2033RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2029R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 28V, 0.043ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT2029R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2025R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2025R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2022REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.025ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2022REL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2024R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2024R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT2029R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 28V, 0.043ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT2029R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||