Showing 25 of 294 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6638TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6638TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6662
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6662 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6613PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6613PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6609TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 20V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6609TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6643TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 150V, 0.0345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6643TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6629TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6629TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6655
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6655 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6662TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6662TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6637PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6637PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6668
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 80V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6648TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6648TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6611TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6611TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6665TR1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6665TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6628PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6628PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623TR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6691TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6691TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6616PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 106A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6616PBF |
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