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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7464TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 200V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7464TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRF740B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF742
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF742 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF741
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRF741 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF744-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF744-004 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-019PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7478PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7478PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7451TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7451TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF743-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF743-002PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF742-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF742-012 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740N
Motorola Mobility LLC
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1 | 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF740N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7484Q
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOIC-8 | IRF7484Q |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7459TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7459TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740ASPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF740ASPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF742-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF742-003 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740LC-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740LC-010PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7463TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8 | IRF7463TRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-007 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7478PBF-1
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | IRF7478PBF-1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF742FI
STMicroelectronics
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1 | 4.5A, 400V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF742FI |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF740U
Motorola Mobility LLC
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1 | 10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF740U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7492TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7492TRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF7402PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7402PBF |
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IRF740-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF740-017 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF741-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF741-011PBF |
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