Showing 23 of 173 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF220-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF220-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF223
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF223 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF230
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF230
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFF230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF221
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.5A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | IRFF221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF211
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.2A, 150V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | IRFF211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF232
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFF232 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF210R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF210R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF213
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,1.8A I(D),TO-205AF | IRFF213 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF210SCC5205/014
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF210SCC5205/014 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF221
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF232R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF232R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF232R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF232R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF220R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF220R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF232
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF232 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF213
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF221R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF221R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF210
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF210 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF211
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF231
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.5A, 150V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | IRFF231 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFF230
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV2N6798
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANTXV2N6798 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTX2N6798
Infineon
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1 | N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) , -55 °C ~ +150 °C (TJ) | Other | JANTX2N6798 |
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