Showing 25 of 392 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-018PBF |
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IRFIBC40G-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-031PBF |
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IRFIBF30G-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-013PBF |
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IRFIBC40G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-017 |
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IRFIBF20GPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20GPBF |
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IRFIB5N65A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 650V, 0.93ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFIB5N65A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40G-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40G-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-019PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-019PBF |
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IRFIBE30G-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRFIBE30G-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF20G-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF20G-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC40GLC-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC40GLC-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBE20G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBE20G-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBF30G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBF30G-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC20G-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC20G-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIB6N60A
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIB6N60A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFIBC30G-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFIBC30G-030PBF |
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