Showing 25 of 354 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR9220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9220 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9121-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9121-T1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NCTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9024NCTRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9014TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9014TRRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9110TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9014TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9014TRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9111TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9111TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9024NC |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9111
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFR9111 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9012-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9012-T1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9015
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR9015 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9120TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9120TRLPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9214
Vishay
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1 | TRANSISTOR IRFR9214 | IRFR9214 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9010TRPBF
Vishay
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1 | Vishay IRFR9010TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 5.3 A, -50 V, 3-Pin TO-252 | IRFR9010TRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, | IRFR9024TRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024TRPBF-BE3
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3/2 | IRFR9024TRPBF-BE3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TRRPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9110TRRPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9120TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR9120TRLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR91109A
Intersil Corporation
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1 | 3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | IRFR91109A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9N20DTR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9N20DTR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9022TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9022TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9022-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9022-T1 |
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IRFR9022
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR9022 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9024NTRPBF |
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IRFR9010
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9010 |
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