Showing 25 of 441 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ35-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ35-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ32-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ32-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34VL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFZ34VL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ32-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ32-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ32-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ32-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34E-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34E-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34N-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34N-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34N-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34N-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34NL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFZ34NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34
Texas Instruments
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1 | 26A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN | IRFZ34 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34VPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34VPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30
Zetex / Diodes Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34E-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34E-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34E-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34E-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ34E-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ34E-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ30-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ32-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ32-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ30-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ30-005PBF |
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