Showing 25 of 404 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-024PBF |
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IRLI540A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI540A |
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IRLI520G-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520G-031 |
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IRLI530N-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-009PBF |
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IRLI530N-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-002PBF |
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IRLI540N-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI540N-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-019 |
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IRLI540G-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-004PBF |
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IRLI530G-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-006 |
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IRLI530G-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-029 |
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IRLI540G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540G-003 |
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IRLI520N-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-030 |
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IRLI530G-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-005PBF |
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IRLI540N-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-004PBF |
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IRLI540N-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI510A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRLI510A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI540N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI540N-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI530G-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530G-030 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI520N-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI520N-030 |
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IRLI530N-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI530N-011 |
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IRLI540N-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI540N-031 |
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