Showing 18 of 168 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2402GTRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2402GTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2502GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2502GPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6302TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6302TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML0100TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML0100TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5203TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML5203TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6402GTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6402GTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5103
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML5103 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2502TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML2502TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2803GTRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2803GTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2803GTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2803GTRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2402
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2402 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6246TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6246TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6302TRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A, 0.035-ohm MOSFET in SOT-23 package with 10 nC gate charge, designed for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | IRLML6302TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5103
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel Power MOSFET in SOT-23 package with -30V drain-source breakdown voltage, 0.60 ohm on-resistance at -10V VGS, and -0.76A continuous drain current at 25°C. | IRLML5103 |
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IRLML6401GTRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 35 mΩ at VGS = -10 V, designed for load switch, PA switch, and DC/DC converter applications. | IRLML6401GTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6402TRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20 V, 5 A MOSFET in SOT-23 package with 35 mΩ RDS(on) at VGS = -10 V, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | IRLML6402TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6401
SLKOR
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1 | IRLML6401 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SKML5203
Shikues Semiconductor
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1 | IRLML5203, 1 of 3REV.08 | SKML5203 |
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