Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD500S65K3TNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 6500V V(RRM), Silicon | DD500S65K3TNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD400S33K2CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 400A, 3300V V(RRM), Silicon | DD400S33K2CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD400S65K1NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 400A, 6300V V(RRM), Silicon | DD400S65K1NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ2400R12KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FZ2400R12KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6MS24017P43W39873NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | 6MS24017P43W39873NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF400R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 650A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FF400R17KF6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2PS18012E44G40113NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | 2PS18012E44G40113NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ400R65KF1NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel | FZ400R65KF1NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ800R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FZ800R33KL2CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD1200S45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 4500V V(RRM), Silicon | DD1200S45KL3B5NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1250A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF800R12KL4CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ2400R17KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ2400R17KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ500R65KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FZ500R65KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 950A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FD600R17KE3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD1200R17KE3KB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FD1200R17KE3KB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2LS20017E42W36702NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | 2LS20017E42W36702NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DZ3600S17K3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 3 Element, 3600A, 1700V V(RRM), Silicon | DZ3600S17K3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ200R65KF2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel | FZ200R65KF2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ800R17KF6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6MS30017E43W40372NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | 6MS30017E43W40372NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ400R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 750A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FZ400R33KL2CB5NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R45KL3B5NOSA1
Infineon
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1 | TRANSISTOR, IGBT MODULE, 4.5KV, 1.2KA | FZ1200R45KL3B5NOSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD250R65KE3KNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FD250R65KE3KNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R33KL2CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD250S65K3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 250A, 6500V V(RRM), Silicon | DD250S65K3NOSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||