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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8064-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8064-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8030-H(TE12L,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8030-H(TE12L,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8086
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.0166ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8086 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8028-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8028-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8016-H(TE12L,Q
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8016-H(TE12L,Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8021-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8021-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8082
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8082 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8057-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8057-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8053-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8053-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8014-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8014-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8081
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8081 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8005-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8005-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8040-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8040-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8081(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8081(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8021-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8021-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8042(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8042(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 33V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8010-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8010-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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