Showing 25 of 232 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP253 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP253
Intersil Corporation
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1 | 27A, 150V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP253 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1RFP250M TRANSISTOR
* Other *
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0 | 1RFP250M TRANSISTOR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP253
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP253 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP251
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP251 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP251
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,33A I(D),TO-247 | IRFP251 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, TO-247AC, 3 PIN | IRFP250N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | IRFP250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250250-4W100-2
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, DIE-2 | RFP-250250-4W100-2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-25-6APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-6APZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250-50TC
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm, ALUMINA CERAMIC, FM-1 | RFP-250-50TC |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP251R
Intersil Corporation
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1 | 33A, 150V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP251R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-25-2APZ
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-25-2APZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP252R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250375N6X50-2
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 2000MHz Max, 50ohm | RFP-250375N6X50-2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HCD370/DRFP25.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | Sine Output Oscillator | HCD370/DRFP25.0MHZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250375N4Z50-2
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250375N4Z50-2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250250N4AA3
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250N4AA3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP250
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,30A I(D),TO-247AC | IRFP250 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP252 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP252
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP252 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP254A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP254A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP254N
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP254N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP-250250-6W100-2
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, DIE-2 | RFP-250250-6W100-2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||