Showing 25 of 222 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP255
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP255 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250-50N-C
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250-50N-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP253
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRFP253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250N4AA10
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250N4AA10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP257
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP257 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250_R4941
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250_R4941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250N4AA6
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2000MHz Max | RFP-250250N4AA6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250-50RM
Anaren Microwave
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1 | RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 250W, 5%, 50ohm - 50ohm, SURFACE MOUNT | RFP-250-50RM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP251
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250375A4X50
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-250375A4X50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250CF
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFP250CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250N
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP256R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP256R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP256R
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP256R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-250250-4AA20
Anaren Microwave
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1 | Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max | RFP-250250-4AA20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD370/FRFP25.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | Sine Output Oscillator, 10MHz Nom | HCD370/FRFP25.0MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP254
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||