Showing 25 of 3179 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
REA332M1ESDF1620C
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3300uF, | REA332M1ESDF1620C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA682M1CSDF1820
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 6800uF, | REA682M1CSDF1820 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
7311SDF104X-62.500000MNSA3346A
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
|
1 | PECL Output Clock Oscillator | 7311SDF104X-62.500000MNSA3346A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JEDXGSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259 | SDF10N100JEDXGSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JAASHD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF120JAASHD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JDASGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JDASGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF130JDASGD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF130JDASGD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF1NA60JDAXHD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF1NA60JDAXHD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JAAXHU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF120JAAXHU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA220M2GSDF1616P
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 400V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, | REA220M2GSDF1616P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF17N60GAFSGD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF17N60GAFSGD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100GAFSHU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFSHU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RGA472M1ASDF1620P
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 4700uF, | RGA472M1ASDF1620P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA102M1VSDF1616C
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, | REA102M1VSDF1616C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JABXGSB
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF120JABXGSB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA470M2VSDF1620B
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 350V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, | REA470M2VSDF1620B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF150JAAEHU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAEHU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF10N100JEBSHSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBSHSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF140JDAVGU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | SDF140JDAVGU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF17N60GAFSGD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF17N60GAFSGD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2ESDF-11P
Dinkle Enterprises
|
1 | Barrier Strip Terminal Block, 15A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | 2ESDF-11P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RGA101M2CSDF1620T
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF, | RGA101M2CSDF1620T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
REA680M2CSDF1620C
Lelon Electronics Corp
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 68uF, | REA680M2CSDF1620C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF11N90GAFEHSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N90GAFEHSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF120JAAEHU1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF120JAAEHU1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||