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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UF830G-F-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UF830G-F-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N70L-CBQ-TMS-T6N70L-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N70L-CBQ-TMS-T6N70L-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N90G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 900V, 16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 1N90G-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ME22,5OT-MSTBOBU
Phoenix Contact
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1 | Terminal Block Accessory | ME22,5OT-MSTBOBU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRONT-MSTB2,5/14-STF-5,081-14
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | FRONT-MSTB2,5/14-STF-5,081-14 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FPT-MST/FDDI-A-3M
TE Connectivity
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1 | Interconnection Device | FPT-MST/FDDI-A-3M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FPT-MST-A-12M
TE Connectivity
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1 | Fiber Optic ST Connector, 1 Contact(s), Male, Multi Mode, Simplex, Wire Terminal | FPT-MST-A-12M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMSTBP2,5/5-STF-5,08BK
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block | TMSTBP2,5/5-STF-5,08BK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJE13005G-Q-A-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | MJE13005G-Q-A-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N40KG-TA-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N40KG-TA-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJE13003G-G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE13003G-G-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRONT-MSTB2,5/5-STF-5,08
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | FRONT-MSTB2,5/5-STF-5,08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60KL-MT-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60KL-MT-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C-13-DFB2.5-TD-SSTMST
Source Photonics
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1 | DFB Laser Module Emitter, 1295nm Min, 1325nm Max, 2500Mbps, ST Connector, Through Hole Mount | C-13-DFB2.5-TD-SSTMST |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CBS-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N60G-TC2-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N60G-TC2-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJE13003L-V-E-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE13003L-V-E-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRONT-MSTB2,5/2-STGYBD:T2T1
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) | FRONT-MSTB2,5/2-STGYBD:T2T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRONT-MSTB2,5/4-STFEH-5,08T
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block | FRONT-MSTB2,5/4-STFEH-5,08T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65KG-MT-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N65KG-MT-TMS-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCA-MSTMSTM3DXLS-05
L-com Inc
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1 | Cable Assembly | FCA-MSTMSTM3DXLS-05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TMSTBP2,5/5-STF-5,08ABGYAUBS
Phoenix Contact
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1 | Barrier Strip Terminal Block | TMSTBP2,5/5-STF-5,08ABGYAUBS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N70KG-MTQ-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 8N70KG-MTQ-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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19N10L-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 19N10L-TMS-T |
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