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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8030
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8012-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8012-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8212-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8212-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8407
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8407 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8040-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8040-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC817MCC9G
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 5000V Isolation | TPC817MCC9G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8082(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8082(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A06-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A06-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8052-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8052-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8088(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8088(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8133(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8133(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8204(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8204(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8015-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8015-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8111(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8034-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8034-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8063-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8063-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC816S1BRAG
Taiwan Semiconductor
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1 | Transistor Output Optocoupler | TPC816S1BRAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8009-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8009-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8126(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8126(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC-8
Eaton Bussmann
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1 | ELECTRIC FUSE, 8A, 80VDC, INLINE/HOLDER | TPC-8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8213-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8213-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8080(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8080(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8105-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8105-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8227-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8227-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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