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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8107(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 0.0268ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8107(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8004(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8004(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8302
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8605
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor | TPCP8605 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8202
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8202 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8405
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8005-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8005-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8105,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8105,LF(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8006(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8006(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8107(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 40V, 0.0268ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8107(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8401
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8401 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8406(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8406(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8204
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8204 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8303
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 20V, 0.06ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8405(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8405(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8406
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8406 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8503
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8503 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8106(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8106(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8205-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8205-H(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8504
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8504 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8606,LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8606,LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8010(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8010(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8404(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8404(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8203(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 40V, 0.06ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8203(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8005-H(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8005-H(TE85L,F) |
0
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