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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1514H
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | GC1514H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1811-36
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | GC1811-36 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC5516D45
Loral Microwave-Fsi
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1 | Variable Capacitance Diode, 0.65pF C(T), 6V, Abrupt | GC5516D45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MHV513
Cobham Semiconductor Solutions
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1 | Variable Capacitance Diode, X Band, 31pF C(T), 22V, Silicon, Hyperabrupt | MHV513 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MA46412-276
TE Connectivity
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 18V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt | MA46412-276 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4805A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 15pF C(T), 110V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4805A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VVC3346
International Semiconductor Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt, DO-7 | VVC3346 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC2525-35
Loral Microwave-Fsi
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1 | Variable Capacitance Diode, 1.7pF C(T), 20V, Abrupt | GC2525-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MV831
Micrometrics Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, 18pF C(T) | MV831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CKV2020-25-130-011
Alpha Industries
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1 | Variable Capacitance Diode, High Frequency, 22V, Silicon, Hyperabrupt | CKV2020-25-130-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ5476A
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | SQ5476A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1M246A
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 68pF C(T), 12V, Silicon, Abrupt | 1M246A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1500D-5%
Msi Electronics Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, 0.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | GC1500D-5% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQ1740
Msi Electronics Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | SQ1740 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZC704C
Msi Electronics Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 15pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | ZC704C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N5447BCHIP
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 20pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt | 1N5447BCHIP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1M1405B
Msi Electronics Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, 250pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt | 1M1405B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZC806B
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, DO-7 | ZC806B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VA125
Cobham PLC
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1 | Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), 90V, Silicon, DO-7, 2 PIN | VA125 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TX-1N5140
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TX-1N5140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANTXV1N5465A
Cobham PLC
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1 | Variable Capacitance Diode, 15pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | JANTXV1N5465A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VVC3323
International Semiconductor Inc
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1 | Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 22V, Silicon, Abrupt, DO-7 | VVC3323 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1602EE-2%
Spectrum Control
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1 | Variable Capacitance Diode, 1.2pF C(T), 45V, Silicon, Abrupt | GC1602EE-2% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1303-150X
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Variable Capacitance Diode, C Band, 1.5pF C(T), Silicon, Hyperabrupt | GC1303-150X |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N5708CO
MACOM
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1 | Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt | 1N5708CO |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||