Showing 25 of 538 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DCMC144M010EB1MS
Cornell Dubilier Electronics Inc
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 140000uF, | DCMC144M010EB1MS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT18LSDT6472DG-10EB1
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DMA168 | MT18LSDT6472DG-10EB1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
299D107X0010EB1
Vishay Sprague
|
1 | Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 100uF, Through Hole Mount | 299D107X0010EB1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
DCMC144U010EB1AD
Cornell Dubilier Electronics Inc
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 75% +Tol, 140000uF, | DCMC144U010EB1AD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT32410EB17-19.200M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 19.2MHz Nom | SXT32410EB17-19.200M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT8LSDT1664LHY-10EB1
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DMA144 | MT8LSDT1664LHY-10EB1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
101C134U010EB1B
Cornell Dubilier Electronics Inc
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 75% +Tol, 10% -Tol, 130000uF, Chassis Mount | 101C134U010EB1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT32410EB16-52.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 52MHz Nom | SXT32410EB16-52.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
|
1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, ROHS COMPLIANT | IMC1210EB1R0K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT32410EB16-26.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 26MHz Nom | SXT32410EB16-26.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
500C134M010EB1BP
Cornell Dubilier Electronics Inc
|
1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 130000uF, | 500C134M010EB1BP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IMC1210EB1R5K
Vishay Intertechnologies
|
1 | General Purpose Inductor, 1.5uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, SMD, 1210 | IMC1210EB1R5K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IMC1210EB1R5K
Vishay Dale
|
1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.5 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, ROHS COMPLIANT | IMC1210EB1R5K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT21410EB17-24.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 24MHz Nom | SXT21410EB17-24.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT32410EB16-48.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 48MHz Nom | SXT32410EB16-48.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RD10EB1-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Zener Diode, 9.39V V(Z), 2.1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 | RD10EB1-T1-AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
MT5LSDT1672AG-10EB1
Micron Technology Inc
|
1 | Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, DMA168 | MT5LSDT1672AG-10EB1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RD10EB1-T2-AZ
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Zener Diode, 9.39V V(Z), 2.1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 | RD10EB1-T2-AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT32410EB17-50.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 50MHz Nom | SXT32410EB17-50.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SXT22410EB16-16.000M
Suntsu Electronics Inc
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom | SXT22410EB16-16.000M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 11.999MHz Nom | TF310EB-11.999MHZ |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom | X10EB1-20.000MHZ-T |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ISC1210EB180K
Vishay Dale
|
1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 18 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 1210, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | ISC1210EB180K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1 | Oscillator, 1MHz Min, 50MHz Max, 1MHz Nom, Hybrid | SVC-10EB15T-1.000M |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ISC1210EB180J
Vishay Dale
|
1 | General Fixed Inductor, IND,POWDERED IRON,18UH,5% +TOL,5% -TOL,1210 CASE | ISC1210EB180J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||