Showing 25 of 1287 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-6226
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-6226 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6660 |
0
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2N6667-6226
Intersil Corporation
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6667-6226 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.GRPB
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6660C4A-JQRS.GRPB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667BU
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667BU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-6264
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-6264 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
Unitrode Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660-JQR
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660-JQR |
0
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2N6660JTXP02
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660JTXP02 |
0
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2N6660JTXP02
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660JTXP02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661CSM4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA | 2N6661CSM4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668AF
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668AF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-DR6280
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667-DR6280 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Iskra Semic Capacitors Industry
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1 | Transistor | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668AS
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668AS |
0
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2N6668A
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667D1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667D1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667L
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668TIN/LEAD
Central Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668TIN/LEAD |
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2N6661M1A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | 2N6661M1A |
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2N6661M1A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | 2N6661M1A |
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