Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT1002RBN |
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APT10M25BVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10M25BVRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RSLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001RSLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10086SLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10086SLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10026JLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10026JLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RBVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1001RBVRG |
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APT1001R1BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10.5A, 1000V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1001R1BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10026JFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1000V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10026JFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003RBFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | APT1003RBFLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GF60JU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT100GF60JU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100F50J
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 500V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT100F50J |
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APT100GT60LR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 148A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT100GT60LR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M11JVRU2
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 142A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10M11JVRU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040LVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10040LVR |
0
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APT10021DFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,HALF BRIDGE,1KV V(BR)DSS,40A I(D) | APT10021DFN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1003R5AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,4A I(D),TO-3 | APT1003R5AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R1BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10035LLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10035LLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1004R2KN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1004R2KN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10025JVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10025JVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GT120JU3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT100GT120JU3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R1AVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R1AVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1002RBN-BUTT |
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APT1003RBLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1003RBLL |
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APT10SC120B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM) | APT10SC120B |
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