Showing 25 of 660 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30N60KC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT30N60KC6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30N60SC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30N60SC6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D20BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D20BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30DS60S
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon | APT30DS60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D40SG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon | APT30D40SG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30M17JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 300V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30M17JLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D40H
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM) | APT30D40H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30DS60H
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-258AA | APT30DS60H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30GP60BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT30GP60BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D120B
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D120B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D40B
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D40B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30N60SC6
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT30N60SC6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D60B
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D60B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3010BNR-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 35A, 300V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3010BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3010BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3010BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30M36LFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT30M36LFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30DL60S
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon | APT30DL60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30GF60JU3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 58A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT30GF60JU3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D90B
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 900V V(RRM), Silicon | APT30D90B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30N60BC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT30N60BC6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30D100BG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D100BG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30DQ100S
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon | APT30DQ100S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30M40B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30M40B2VFR |
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APT30M36B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30M36B2FLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT30GT60BRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT30GT60BRG |
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