Showing 25 of 660 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT30M40B2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30M40B2VFRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GP60B
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT30GP60B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D30BCT
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT30D30BCT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GP60BG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT30GP60BG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30DS60H
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-258AA | APT30DS60H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT3010BNR
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3010BNR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D30BCTG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D20BCTG
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D20BCTG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D60HCT
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-258AA | APT30D60HCT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D100BG
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D100BG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D90B
Advanced Power Technology
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 900V V(RRM), Silicon | APT30D90B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30N60KC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT30N60KC6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D60BCA
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 27A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247AD | APT30D60BCA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30M36LFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT30M36LFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GF60JU3
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 58A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT30GF60JU3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30N60BC6
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT30N60BC6 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30DL60S
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon | APT30DL60S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30M36LFLL
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 300V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT30M36LFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GT60BRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT30GT60BRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GU60JU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES | APT30GU60JU2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30DF20HJ
Microchip Technology Inc
|
1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 45A, 200V V(RRM), Silicon | APT30DF20HJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30M17JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 135A I(D), 300V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT30M17JLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30D120B
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT30D120B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GP60JDQ1G
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT30GP60JDQ1G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT30GT60KR
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | APT30GT60KR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||