Showing 25 of 1318 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A3R3KAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000033uF, Surface Mount, 1206 | 1206A3R3KAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45-101DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,22.5A I(D),CHIP / DIE | APT45-101DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT47N60SC3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT47N60SC3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A3R3ZAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000033uF, Surface Mount, 1206 | 1206A3R3ZAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40DQ100SG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 1000V V(RRM), Silicon | APT40DQ100SG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A1R5KAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 1.5e-06uF, Surface Mount, 1206 | 1206A1R5KAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77313-1APT46LF
Amphenol FCi
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1 | Board Connector, | 77313-1APT46LF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C221JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00022uF, Surface Mount, 0805 | 0805C221JAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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B43APT-49CP-1
TE Connectivity
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1 | Circular Connector, 31 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | B43APT-49CP-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4080GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | APT4080GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C122GAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 2% +Tol, 2% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0012uF, Surface Mount, 0805 | 0805C122GAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT44F80L
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT44F80L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4012SVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 400V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4012SVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C43APT-48P-8
TE Connectivity
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1 | Circular Connector, 12 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | C43APT-48P-8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT451R1GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT451R1GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT40GP90B2DQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 101A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT40GP90B2DQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT451R1GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,6.5A I(D),TO-257ISO | APT451R1GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A680PAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 100% +Tol, 0% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.000068uF, Surface Mount, 1206 | 1206A680PAPT4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206AR56MAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00000056uF, Surface Mount, 1206 | 1206AR56MAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT4530AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SAB8032A-P-T40/85
Infineon Technologies AG
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1 | Microcontroller, 8-Bit, 8051 CPU, 12MHz, CMOS, PDIP40 | SAB8032A-P-T40/85 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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0805C821JAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5% +Tol, 5% -Tol, X7R, 15% TC, 0.00082uF, Surface Mount, 0805 | 0805C821JAPT4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4550BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4550BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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C43APT-4P-2
TE Connectivity
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1 | Circular Connector, 61 Contact(s), Male, Crimp Terminal, Plug | C43APT-4P-2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206A391ZAPT4
Mijo Technology
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00039uF, Surface Mount, 1206 | 1206A391ZAPT4 |
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