Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024BVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5024BVRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GS60BRDL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF60JCU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF60JCU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 27A, 500V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5022BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120B2RG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT50GT120B2RG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5040BNF-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 16A, 500V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5040BNF-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024BVFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5024BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5085BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5085BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BVFRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5020BVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M60L2VRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M60L2VRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60B
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GP60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024CLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024CLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120JU2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT120JU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT5025AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 20A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN | APT5025AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5027BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 20A, 500V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5027BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5030DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT5030DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024BFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5024BFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GP60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60SG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GT60SG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,93A I(C),TO-247AD | APT50GS60BRDQ2G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50DL60BCTE3
Microchip Technology Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT50DL60BCTE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M50L2LL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M50L2LL |
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APT5024AVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | APT5024AVR |
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