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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT6011LVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6011LVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D120BG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, ROHS COMPLIANT, TO-247, 2 PIN | APT60D120BG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6040AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-3, 3 PIN | APT6040AN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6KN
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT601R6KN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ60BG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 | APT60DQ60BG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6015B2VRG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CLIP MOUNTED TO-247, TMAX-3 | APT6015B2VRG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT601R6BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT601R6BN-BUTT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6029SLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6029SLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6010JFLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT6010JFLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6045CVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT6045CVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6018LNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN | APT6018LNR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60N90JC3G
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 900V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOTOP, 4 PIN | APT60N90JC3G |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ120BG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, | APT60DQ120BG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6038SLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 | APT6038SLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6030BN
Microsemi Corporation
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1 | 23A, 600V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT6030BN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60D30S
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 300V V(RRM), Silicon, D3PAK-3 | APT60D30S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6070BNR
Microsemi Corporation
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1 | 12A, 600V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT6070BNR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6025BFLL
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT6025BFLL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6015LVFR
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT6015LVFR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60SR
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3 | APT60GT60SR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6060BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT6060BNR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT6035BVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT6035BVR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ100S
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, D3PAK-3 | APT60DQ100S |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DS04HJ
Microsemi Corporation
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1 | Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 60A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 | APT60DS04HJ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60DQ100BG
Microsemi Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-247, ROHS COMPLIANT, TO-247, 2 PIN | APT60DQ100BG |
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