Showing 25 of 435 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT8030LVRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8030LVRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8014L2LLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2LLG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8065BVFRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8065BVFRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8024JFLL
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024JFLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8075BVRG
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8075BVRG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8024JLL
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024JLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8090BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8090BN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT80GP60JD3
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 68A, 600V, N-CHANNEL IGBT, ISOTOP-4 | APT80GP60JD3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT801R2AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R2AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8090AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 10.5A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT8090AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8075BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT8075BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8030JNFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 27A, 800V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | APT8030JNFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8056BVR
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8056BVR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT80GP60J
Advanced Power Technology
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT802R4BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT802R4BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8016DFN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 800V, 0.16ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8016DFN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT801R4AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4AN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8075BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075BNR-GULLWING |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT80GA90B2D40
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT80GA90B2D40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT80SM120J
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80SM120J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8014JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JLL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT8024B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT801R2BN-BUTT
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT801R2BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT801R2BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | 9A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT801R2BN-BUTT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT802R4KN
Advanced Power Technology
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT802R4KN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||