Showing 25 of 435 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8015JVFR
Microchip Technology Inc
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0 | FREDFET MOS 5 800 V 150 mOhm SOT-227 | APT8015JVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80SM120S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT80SM120S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80SM120B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT80SM120B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020B2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020B2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDQ3
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60JDQ3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R2AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8065BVFRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8065BVFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10.5A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT8090AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 13A, 800V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT8075BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8035JN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8035JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4AN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8056BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8056BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014JFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT802R4BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT80GA90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60LD40
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264 | APT80GA60LD40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8028JVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8028JVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8024LFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT801R2BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT801R2BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80F60J
Microchip Technology Inc
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0 | FREDFET MOS 8 600 V 80 A SOT-227 | APT80F60J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020LLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8020LLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||