Showing 25 of 22281 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BF100-64-A-C-0-0625-N-D
GCT (GLOBAL CONNECTOR TECHNOLOGY)
|
1 | Board Stacking Connector, 64 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.078 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, Socket, | BF100-64-A-C-0-0625-N-D |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005E6327
Rochester Electronics LLC
|
1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET | BF1005E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005-L2R4DAGB
Advanced Ceramic X Corporation
|
1 | Ceramic BPF, | BF1005-L2R4DAGB |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009
Siemens
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN | BF1009 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009SR
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOT-143R, 4 PIN | BF1009SR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009SR-E6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1009SR-E6433 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009S-E6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1009S-E6433 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005W-E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005W-E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005-L2R4DAGT
Advanced Ceramic X Corporation
|
1 | Ceramic BPF, | BF1005-L2R4DAGT |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009SRE6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOT-143R, 4 PIN | BF1009SRE6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005SE6327HTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor | BF1005SE6327HTSA1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005W-E6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005W-E6433 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009SR-E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1009SR-E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005-E6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005-E6433 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005SW-E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005SW-E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005SR-E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005SR-E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005S
Siemens
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-143, 4 PIN | BF1005S |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009SW
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1009SW |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005W
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT343, 4 PIN | BF1005W |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005S
Infineon
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | BF1005S |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005E6327
Siemens
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005S-E6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1005S-E6433 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1009S-E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BF1009S-E6327 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005SW
Infineon Technologies AG
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-343, 4 PIN | BF1005SW |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1005SR
Infineon
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 | BF1005SR |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||