Showing 25 of 610 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF4104
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF4104 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF4905-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF4905-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF420
National Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF420 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF430EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF430EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF4104STRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRF4104STRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF422
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF422 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF450-QR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF450-QR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF430ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF430ED |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF450
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF441
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF441 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF442R
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF442R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF441
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF441 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF450
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,12A I(D),TO-204AA | IRF450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF451
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF451 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF421
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF421 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF422
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF422 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF430EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF430EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF440EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.98ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF440EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF450
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204 | IRF450 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF430
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF46ER182K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 1800uH, 10%, 1 Element, Magnetic-Core | IRF46ER182K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF46ER182K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 1800uH, 10%, 1 Element, Magnetic-Core | IRF46ER182K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF430EAPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 500V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF430EAPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF4905S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRF4905S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF442
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF442 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||