Showing 25 of 517 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-011PBF |
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IRF1010-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-011 |
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IRF1010E-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-018PBF |
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IRF1010ES
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1010ES |
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IRF1010-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-006PBF |
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IRF1010N-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-005PBF |
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IRF100S1OHMG
Nikkohm Co Ltd
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 250W, 1ohm, 2% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF100S1OHMG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010N-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-009PBF |
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IRF1010ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010ZPBF |
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IRF100S150.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 150ohm, 5% +/-Tol | IRF100S150.00OHMSJ |
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IRF1010E-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-019 |
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IRF1010E-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-003 |
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IRF1010-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-017 |
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IRF1010N-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010 |
0
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IRF1010NLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1010NLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010E-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-009 |
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IRF1010N-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF100NC15.00OHMSJ
Isotek Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 100W, 15ohm, 5% +/-Tol | IRF100NC15.00OHMSJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010STRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF1010STRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010ELTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1010ELTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010-024 |
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IRF1010E-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010E-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF1010ELPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF1010ELPBF |
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IRF1010N-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF1010N-003 |
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