Showing 25 of 210 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF333
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF333 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330R
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF330R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330EB
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF330EB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330EC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF330EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF332
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF332 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3315L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330EBPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF330EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF330 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF330PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-339UH+-10%ERE2
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 39uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF-339UH+-10%ERE2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3315STRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRF3315STRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3315STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRF3315STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3315STRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRF3315STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-33.910%
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 3.9 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR | IRF-33.910% |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-33.3UH+-10%ESE2
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 3.3uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF-33.3UH+-10%ESE2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3305
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AUIRF3305 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3305
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AUIRF3305 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||