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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF341 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF341 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF341 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF343R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF343R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF341 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF342R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF342R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF342
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF342
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-3470UH+-10%ESE2
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF-3470UH+-10%ESE2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3415
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AUIRF3415 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-34.7+/-10%
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 4.7 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED | IRF-34.7+/-10% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-347UH+-10%EVE2
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 47uH, 10%, Ferrite-Core, | IRF-347UH+-10%EVE2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-3470UH+-10%R36
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF-3470UH+-10%R36 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-34.7UH+/-10%
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 4uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF-34.7UH+/-10% |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF-34.7UH+-10%EVE2
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 4.7uH, 10%, Ferrite-Core, | IRF-34.7UH+-10%EVE2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF3415
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AUIRF3415 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||