Showing 25 of 330 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF513
Supertex Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF513-001PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 4.9A, 80V, 0.74ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF513-001PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512-003
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF512-003 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF511-006PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF511-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF511-006
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF511-006 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF512R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510STRRPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 | IRF510STRRPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512-009PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-009PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510U
Motorola Mobility LLC
|
1 | 4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF510U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512
FCI Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510-012PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-012PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF513
Advanced Microelectronic Products Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF513 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510-009
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-009 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF511-003PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 5.6A, 80V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF511-003PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510STRL
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | IRF510STRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510D1
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510D1
Motorola Mobility LLC
|
1 | 4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF510D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512-003PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-003PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF511
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF512-002
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 100V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF512-002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510C
Motorola Mobility LLC
|
1 | 4 A, 100 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF510C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510-031PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-031PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF513-011
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 80V, 0.74ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF513-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF510
Motorola Mobility LLC
|
1 | 4A, 100V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF510 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IRF511R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||