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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF540ZL |
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IRF540N-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-002PBF |
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IRF540-029
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540N-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-030 |
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IRF540STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF540STRLPBF |
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IRF540NHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540NHR |
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IRF540D1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540D1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540L
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540NL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF540NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF540ZS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF540ZL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF540ZSPBF |
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IRF540N-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540N-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZSTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF540ZSTRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540NSTRRHR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF540NSTRRHR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540ZSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF540ZSTRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF540N-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-019 |
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IRF540N-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-011 |
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IRF540N-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-031PBF |
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IRF540N-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-017PBF |
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IRF540N-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF540N-017 |
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