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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF737LC-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 300V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF737LC-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7338PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 12V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7338PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7389TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7389TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7306TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF7306TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7314TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | IRF7314TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7316QPBF
Infineon
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1 | IRF7316QPBF Dual P-Channel MOSFET Transistor, 4.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC International Rectifier | IRF7316QPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7353D2
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8 | IRF7353D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF734-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7316TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET | IRF7316TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7379PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF7379PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7303
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF7303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730
Motorola Mobility LLC
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1 | 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF730 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF731-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7301PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, SO-8 | IRF7301PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7306TRPBF
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A | IRF7306TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF734-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-031 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-220AB | IRF731 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7379TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7379TR |
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IRF730-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-018 |
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IRF730
General Electric Solid State
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1 | Transistor | IRF730 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730ASTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRF730ASTRL |
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